Прогрес був досягнутий у дослідженні дефектів кристалів фтору кальцію китайською академією наук . кристалів фтолів кальцію, має широкий діапазон довжин хвилі передачі, низькі дисперсійні ефекти та сильну стійкість до лазерних пошкоджень, що робить їх основними компонентами вдосконалених інструментів, таких як ультрафіолет-літографічні системи, високопоставлені космічні камери та високопроцикла, що розпилюється, високопоставлені косміки, а також висококомпресія, що розпилюють, високопоставлені косміки, а також висококомпресія, що розпилюють детекторневе з’яневе місце детування, високопоставлені косміки, а також висококомпресія, що розпилюється, аптикційні системами з високою оцінкою. обладнання . Однак відкрита кубічна структура фтору кальцію залишає половину октаедричних майданчиків решітки вакантними, внаслідок чого щільність дислокації 10⁵/см², що суттєво погіршує продуктивність ., то точно ідентифікуючи, аналізуючи та контролюючи делокаційні виступи, що проводяться, а також контролюючи делокаційне виступи в межах кристала, є проривом, що переживає, що виходить на бік fluoride crystals and meeting extreme application requirements. Due to the sensitivity of F-ions to electron beams, atomic-level characterization of dislocations in calcium fluoride crystals has posed significant challenges, and traditional characterization techniques have struggled to resolve and clarify their dislocation configurations and formation mechanisms.
У відповідь дослідницька група під керівництвом DR . Liangbi Su та Dr . Bo Zhang з Шанхайського інституту кераміки, Китайська академія наук, звернулася etching method-high-resolution electron backscatter diffraction (HR-EBSD)-integrated differential phase contrast scanning transmission electron microscopy (iDPC-STEM)." The study developed a high-resolution EBSD technique based on the Kikuchi line rotation compensation algorithm, overcoming the limitations of traditional EBSD precision, and combined it with chemical etching to achieve precise localization and characterization of small orientation differences for two types of dislocations in crystals: "freely distributed" and "regularly aggregated." Additionally, the study employed ultra-low-dose iDPC-STEM technology to directly resolve the F/Ca atomic arrangement at the atomic scale for the first time and clearly capture the true configuration of dislocations.
Аналіз морфології, розподілу та орієнтації відмінностей дислокацій у кристалах фтору кальцію
Furthermore, by integrating crystal growth experiments, first-principles calculations, and structural characterization, the researchers elucidated the mechanism of dislocation formation in calcium fluoride crystals. The study found that excessive temperature gradients cause lattice mismatch, thereby promoting dislocation formation. Additionally, the study clarified the causal relationship between vacancy-preferred aggregation and Frank Неповна нуклеація на атомній шкалі . на основі цих висновків, дослідження запропоноване стратегіями для придушення/зменшення дефектів дислокації та підтвердження можливості "самореляції дислокації" за допомогою експериментів з обробкою тепла .. Досягнення кристалів фтолів кальцію з низьким винятком .
Це дослідження стосується давнього наукового завдання досягнення "роздільної здатності атомного рівня" дефектів у кристалах фтолів кальцію та встановлює повний когнітивний ланцюг від макроскопічного до мезоскопічних та атомних рівнів дефектів, що забезпечує критичну наукову основу для підготовки кристалів з майже теоретичними умовними показниками.}}}
